Herstellung

Mit Hilfe des Czochralski-Verfahren (CZ) wird eingeschmolzenes Silicium zu
einem Stabförmigen Einkristall gezogen und danach in Scheiben gesägt.

 Herstellung

Geschmolzenes Silizium wird in Blöcke gegossen, dabei wird die
Einkristallbildung unterbunden. Aus dem grobkörnig erstarrtem Silicium
werden Scheiben gesägt.

Multikristalline Silicium-Solarzellen besitzen eine unregelmäßige Oberfläche,
auf der deutlich die Kristalle mit einem Durchmesser von einigen Milimetern
bis Zentimetern zu erkennen sind.

 Herstellung

Silizium wird aus der Gasphase auf einen Träger (zumeist Glas) als dünne
Schicht aufgebracht.

 Kennzeichen

Eine Kristallstruktur ist hier nicht zu erkennen. Amorphes Silicium besteht
aus ungeordneten Silizium-Atomen.

 Wirkungsgrad

Labor : 11,5 %
Produktion : 5 - 8 %



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CIS, CdTe, GaAs, CulnSe2 - Dünnschicht-Solarzellen

 Herstellung

Aufdampfung von Verbindungshalbleitern auf ein Glassubstrat.

 Kennzeichen

Aufdampfung kann großflächig und in beliebiger Form geschehen, desweiteren
können Metallkontakte mit aufgedampft werden, so daß die Zellen schon bei
der Aufbringung verschaltet werden können.

 Wirkungsgrad

Labor : 10 - 37 %
Produktion :