16.06.2015, 08:35 Uhr

Fraunhofer ISE schickt Spin-Off ins Solarwafer-Geschäft

Freiburg - Der Solarindustrie fehlen nach Einschätzung des Fraunhofer Instituts für Solare Energiesysteme (ISE) neue, bahnbrechende Technologien zur weiteren Verbesserung der Modulwirkungsgrade und zur Reduktion des Material- und Energieverbrauchs. Genau da will die von Fraunhofer Institut neu gegründete Nexwafe GmbH anknüpfen, und zwar in der Wafer-Herstellung.

Die Nexwafe GmbH wird den am Fraunhofer ISE entwickelten Herstellungsprozess für sogenannte „epitaktisch“ gewachsene Wafer („kerfless wafer“ Technologie) in die Produktion transferieren. Gründer und CEO des Unternehmens ist Dr. Stefan Reber, zuvor Abteilungsleiter „Kristallines Silicium – Materialien und Dünnschichtsolarzellen“ am Fraunhofer ISE. Die Ausgründung wird von Fraunhofer Venture mit einer Anschubfinanzierung unterstützt.

15 Jahre Entwicklung für neue Wafer-Herstellung ohne Sägen

Nexwafe will mit den in den letzten fünfzehn Jahren am Fraunhofer ISE entwickelten epitaktisch gewachsenen monokristallinen Siliziumwafern in den Milliarden-Markt für hochwertige Wafer einsteigen. Die „kerfless wafer“ Technologie basiert auf einem Epitaxie-Prozess und kann das konventionelle Herstellen und Sägen der Blöcke in der Waferfertigung für Siliziumsolarzellen direkt ersetzen. Dieses epitaktische Wachstumsverfahren für kristalline Siliziumschichten wurde vom neuen Nexwafe-CEO Reber und seinem Team am Fraunhofer ISE speziell für die Photovoltaik entwickelt.

Verfahren aus der Mikroelektronik bereits bekannt

Im Zentrum des Verfahrens steht die chemische Gasphasenabscheidung bei Atmosphärendruck (atmospheric pressure chemical vapor deposition, APCVD) bei Temperaturen bis zu 1.300° C. Das Verfahren ist grundsätzlich aus der Mikroelektronik gut bekannt. Für PV-Anwendungen musste die Anlage jedoch an die notwendigen hohen Durchsätze radikal angepasst werden. Reber und sein 30-köpfiges Team haben dafür verschiedene Generationen von Abscheideanlagen entwickelt, von sehr flexiblen kleinen Laboraufbauten bis hin zu großen Inline-Systemen mit mehreren Kammern, die ein kontinuierliches Abscheiden von p- und n-dotierten Epitaxie-Schichten ermöglichen. Die jüngste Entwicklung, der sogenannte „ProConCVD Reaktor“, wurde für hohe Durchsätze ausgelegt, wie sie in der industriellen Fertigung benötigt werden, und demonstriert hochwertige Silizium-Epitaxie zu geringen Kosten.

Von der Forschung an den Markt

„Ich freue mich sehr darüber, dass diese herausragende und über viele Jahre am Fraunhofer ISE durchgeführte Forschungsarbeit nun in ein kommerziell erfolgreiches Produkt überführt werden kann“, so Dr. Andreas Bett, Bereichsleiter „Materialien – Solarzellen und Technologie“ sowie stellvertretender Institutsleiter am Fraunhofer ISE. Sein früherer Kollege und CEO von Nexwafe Reber ergänzt: „Für mich ist es ein einzigartiger und aufregender Moment, jetzt die Ergebnisse unserer langjährigen Arbeit in die Produktion zu überführen und der Technologie zum Durchbruch zu verhelfen.“ Institutsleiter Prof. Eicke R. Weber fügt hinzu: „Ich bin überzeugt, dass Nexwafe mit seinem herausragenden Gründungsteam einen wichtigen Beitrag dazu leisten wird, die Produktionskosten für Silicium-Photovoltaik wesentlich zu senken.“

Quelle: IWR Online

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